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PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
39
Intorno 31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
8.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
6.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
39
Velocità di lettura, GB/s
13.8
8.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
6.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
1842
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
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