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PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
29
Intorno 7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
12.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
29
Velocità di lettura, GB/s
13.8
12.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
2601
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
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