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PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
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Motivi da considerare
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
27
Intorno -42% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.8
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
19
Velocità di lettura, GB/s
13.8
19.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
3370
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
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