RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
28
Intorno 4% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
7.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.6
13.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
28
Velocità di lettura, GB/s
13.8
14.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
2296
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link