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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
60
Intorno 55% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
60
Velocità di lettura, GB/s
13.8
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
2359
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
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V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
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