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PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
37
Intorno 27% latenza inferiore
Motivi da considerare
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
37
Velocità di lettura, GB/s
13.8
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
2191
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
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