RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
52
Intorno 48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
10.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
7.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
52
Velocità di lettura, GB/s
13.8
10.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
2384
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link