RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
36
Intorno 25% latenza inferiore
Motivi da considerare
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
36
Velocità di lettura, GB/s
13.8
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
2353
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link