RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
27
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
24
Velocità di lettura, GB/s
13.8
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
2541
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link