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PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
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Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
27
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
24
Velocità di lettura, GB/s
13.8
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
2370
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Kingston 9905701-006.A00G 16GB
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
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