RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Confronto
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
79
Intorno -139% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
1,468.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
79
33
Velocità di lettura, GB/s
3,061.8
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,468.1
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
422
2910
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link