RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Confronto
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,069.2
10.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
106
Intorno -293% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
106
27
Velocità di lettura, GB/s
3,273.7
14.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,069.2
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
734
2409
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB Confronto tra le RAM
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link