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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
総合得点
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
3
14.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,069.2
10.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
106
周辺 -293% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
106
27
読み出し速度、GB/s
3,273.7
14.6
書き込み速度、GB/秒
2,069.2
10.5
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
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