Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Gesamtnote
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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Unterschiede

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB Gründe für die Berücksichtigung
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3 left arrow 14.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,069.2 left arrow 10.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    27 left arrow 106
    Rund um -293% geringere Latenzzeit
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 5300
    Rund um 3.21 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    106 left arrow 27
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,273.7 left arrow 14.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,069.2 left arrow 10.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    no data left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    734 left arrow 2409
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RAM 1
RAM 2

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