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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,069.2
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
106
Rund um -293% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
106
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,273.7
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,069.2
10.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
734
2409
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