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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Confronto
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
43
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
9.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
38
Velocità di lettura, GB/s
13.2
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.3
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2285
2400
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
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