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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Compara
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
43
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
38
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2285
2400
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
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