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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

总分
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

总分
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Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

差异 规格 评论

差异

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB 需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    38 left arrow 43
    左右 -13% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    13.9 left arrow 13.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.5 left arrow 9.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 38
  • 读取速度，GB/s
    13.2 left arrow 13.9
  • 写入速度，GB/s
    9.3 left arrow 10.5
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2285 left arrow 2400

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