RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Confronto
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
6.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
43
Intorno -79% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
13.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
24
Velocità di lettura, GB/s
13.2
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.3
6.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2285
2191
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link