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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
比较
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
总分
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.3
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
43
左右 -79% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
24
读取速度,GB/s
13.2
14.3
写入速度,GB/s
9.3
6.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
2191
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
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