RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
38
Intorno 24% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
5.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
38
Velocità di lettura, GB/s
9.0
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.7
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1274
3005
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Confronto tra le RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB Confronto tra le RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Segnala un bug
×
Bug description
Source link