RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
40
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
27
Velocità di lettura, GB/s
12.3
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1806
3711
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Confronto tra le RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Kingston 99U5402-464.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link