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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.4
11.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
43
Intorno -43% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
7.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
30
Velocità di lettura, GB/s
11.4
11.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.7
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1823
2266
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Confronto tra le RAM
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Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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