RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.4
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
43
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
2266
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link