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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
51
Intorno 16% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.4
9.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
7.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
51
Velocità di lettura, GB/s
11.4
9.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.7
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1823
2314
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-D8KQB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
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