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Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB vs AMD R744G2133U1S 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Punteggio complessivo
star star star star star
AMD R744G2133U1S 4GB

AMD R744G2133U1S 4GB

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Differenze

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Motivi da considerare
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Segnala un bug
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    28 left arrow 29
    Intorno 3% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.1 left arrow 8.8
    Valore medio nei test
AMD R744G2133U1S 4GB Motivi da considerare
AMD R744G2133U1S 4GB
Segnala un bug
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.8 left arrow 13.2
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    28 left arrow 29
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.2 left arrow 13.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.1 left arrow 8.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1989 left arrow 2415

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Confronto tra le RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

AMD R744G2133U1S 4GB Confronto tra le RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti

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AMD R744G2133U1S 4GB
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Memoria RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Memoria RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Memoria RAM
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Memoria RAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Memoria RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Memoria RAM
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Memoria RAM
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Memoria RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Memoria RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Memoria RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Memoria RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
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