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Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Confronto
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB vs AMD R744G2133U1S 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Punteggio complessivo
AMD R744G2133U1S 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
29
Intorno 3% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
8.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
AMD R744G2133U1S 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
13.2
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
29
Velocità di lettura, GB/s
13.2
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.1
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1989
2415
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R744G2133U1S 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
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