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Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB vs AMD R744G2133U1S 4GB

总分
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Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

总分
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AMD R744G2133U1S 4GB

AMD R744G2133U1S 4GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB 需要考虑的原因
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 29
    左右 3% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.1 left arrow 8.8
    测试中的平均数值
AMD R744G2133U1S 4GB 需要考虑的原因
AMD R744G2133U1S 4GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    13.8 left arrow 13.2
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 29
  • 读取速度，GB/s
    13.2 left arrow 13.8
  • 写入速度，GB/s
    9.1 left arrow 8.8
  • 内存带宽，mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • 时序/时钟速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1989 left arrow 2415

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

AMD R744G2133U1S 4GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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