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Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Comparar
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB vs AMD R744G2133U1S 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Pontuação geral
AMD R744G2133U1S 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
29
Por volta de 3% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
8.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
AMD R744G2133U1S 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
13.2
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.1
8.8
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1989
2415
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R744G2133U1S 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
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