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Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
比較する
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB vs AMD R744G2133U1S 4GB
総合得点
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
総合得点
AMD R744G2133U1S 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
29
周辺 3% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
9.1
8.8
テスト平均値
考慮すべき理由
AMD R744G2133U1S 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
13.8
13.2
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
29
読み出し速度、GB/s
13.2
13.8
書き込み速度、GB/秒
9.1
8.8
メモリ帯域幅、mbps
17000
17000
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1989
2415
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB RAMの比較
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451B6AFR8A
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1QS 8GB
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