RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
pl
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB vs AMD R744G2133U1S 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
AMD R744G2133U1S 4GB

AMD R744G2133U1S 4GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Powody do rozważenia
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Zgłoś błąd
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    28 left arrow 29
    Wokół strony 3% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.1 left arrow 8.8
    Średnia wartość w badaniach
AMD R744G2133U1S 4GB Powody do rozważenia
AMD R744G2133U1S 4GB
Zgłoś błąd
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13.8 left arrow 13.2
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    28 left arrow 29
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.2 left arrow 13.8
  • Prędkość zapisu, GB/s
    9.1 left arrow 8.8
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Taktowanie / szybkość zegara
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1989 left arrow 2415

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Porównanie pamięci RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

AMD R744G2133U1S 4GB Porównanie pamięci RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Pamięć RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Pamięć RAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Pamięć RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Pamięć RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Pamięć RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Pamięć RAM
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Pamięć RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Pamięć RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Pamięć RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Pamięć RAM
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Pamięć RAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Pamięć RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Pamięć RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Pamięć RAM