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Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB vs AMD R744G2133U1S 4GB

Puntuación global
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Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Puntuación global
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AMD R744G2133U1S 4GB

AMD R744G2133U1S 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Informar de un error
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    28 left arrow 29
    En 3% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.1 left arrow 8.8
    Valor medio en las pruebas
AMD R744G2133U1S 4GB Razones a tener en cuenta
AMD R744G2133U1S 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.8 left arrow 13.2
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    28 left arrow 29
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.2 left arrow 13.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.1 left arrow 8.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1989 left arrow 2415

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Comparaciones de la memoria RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

AMD R744G2133U1S 4GB Comparaciones de la memoria RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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