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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
43
Intorno -26% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
11.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
7.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
34
Velocità di lettura, GB/s
11.4
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.7
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1823
2910
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
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