RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Punteggio complessivo
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
43
Intorno -95% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
11.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.4
7.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
22
Velocità di lettura, GB/s
11.4
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.7
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1823
3394
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link