RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
43
Intorno -87% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
11.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
7.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
23
Velocità di lettura, GB/s
11.4
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.7
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1823
2619
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
AMD R334G1339U2S 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link