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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
32
Intorno 22% latenza inferiore
Motivi da considerare
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
32
Velocità di lettura, GB/s
16.1
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
3405
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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