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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
35
Intorno 29% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
14.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
35
Velocità di lettura, GB/s
16.1
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2566
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
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