RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
35
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
35
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2566
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link