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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
32
Intorno 22% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.3
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
32
Velocità di lettura, GB/s
16.1
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2999
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
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