RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
32
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2999
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link