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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
32
En 22% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
32
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2999
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
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