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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
39
Intorno 36% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
39
Velocità di lettura, GB/s
16.1
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2680
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
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