RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
38
Intorno 34% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
38
Velocità di lettura, GB/s
16.1
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
3030
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link