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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
38
左右 34% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.9
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
38
读取速度,GB/s
16.1
17.9
写入速度,GB/s
10.1
10.4
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3030
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB RAM的比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Mushkin 996902 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
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