RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
42
Intorno 40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
9.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
42
Velocità di lettura, GB/s
16.1
12.9
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
9.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2735
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link