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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
42
周辺 40% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.1
12.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.1
9.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
12800
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
42
読み出し速度、GB/s
16.1
12.9
書き込み速度、GB/秒
10.1
9.7
メモリ帯域幅、mbps
12800
25600
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
2735
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
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SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
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