RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
42
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
9.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
42
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2735
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link