RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Confronto
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
65
Intorno -141% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.2
5.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
14900
Intorno 1.14 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
27
Velocità di lettura, GB/s
6.8
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
5.4
16.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
17000
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1370
3701
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link