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Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
比较
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
总分
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
总分
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
差异
规格
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差异
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Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
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G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
65
左右 -141% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
5.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
14900
左右 1.14 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
27
读取速度,GB/s
6.8
18.4
写入速度,GB/s
5.4
16.2
内存带宽,mbps
14900
17000
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1370
3701
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
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Kingston 9905622-051.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
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