RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Porównaj
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Wynik ogólny
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
65
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
5.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
14900
Wokół strony 1.14 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
27
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.4
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
17000
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1370
3701
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link