RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
34
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2812
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link