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Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Confronto
Samsung 9905599-020.A00G 16GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
32
Intorno 19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
32
Velocità di lettura, GB/s
15.6
9.8
Velocità di scrittura, GB/s
13.2
8.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2783
2271
Samsung 9905599-020.A00G 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
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